WI71100TR
Référence :
WI71100TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2494
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.59
$6.59
10+
$5.05
$50.5
25+
$4.66
$116.5
100+
$4.24
$424
250+
$4.04
$1010
500+
$3.92
$1960
1000+
$3.82
$3820
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
700 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Boîtier
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17A (Tj)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 400 V
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