FCP165N65S3R0
部品番号：
FCP165N65S3R0
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
封止：
パッケージ：
Bulk
数量：
2115
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：151
数量
価格
合計
151+
$2.2
$332.2
部品ステータス
Obsolete
実装タイプ
Through Hole
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-220-3
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Vgs（最大）
±30V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
39 nC @ 10 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
最大消費電力
154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440mA
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