コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
190A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.56mOhm @ 190A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.55V @ 60mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
420nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
10100pF @ 850V
パッケージ / ケース
11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-MDIP-11-1