テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
90A (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
77 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
5860 pF @ 100 V