IMZA120R012M2HXKSA1
部品番号：
IMZA120R012M2HXKSA1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
IMZA120R012M2HXKSA1
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$26.94
$26.94
30+
$17.28
$518.4
120+
$16.72
$2006.4
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
最大消費電力
480W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
パッケージ / ケース
TO-247-4
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
129A (Tc)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V, 18V
Vgs（最大）
+23V, -7V
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 17.8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
124 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4050 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 57A, 18V
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