テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 5A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 26µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.1A (Ta), 21A (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
520pF @ 50V
パワー - 最大
3.2W (Ta), 36W (Tc)