テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
26nC @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1800pF @ 50V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 97µA
パワー - 最大
3.1W (Ta), 84W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11.6A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 17A, 10V