テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
26 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1535 pF @ 50 V