WI71100TR
部品番号：
WI71100TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
2494
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$6.59
$6.59
10+
$5.05
$50.5
25+
$4.66
$116.5
100+
$4.24
$424
250+
$4.04
$1010
500+
$3.92
$1960
1000+
$3.82
$3820
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
最大消費電力
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
700 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs（最大）
+6V, -4V
パッケージ / ケース
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
17A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
4.8 nC @ 6 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
120 pF @ 400 V
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