0755-8255-7985
Arabic
中文 English Japanese Russian French Arabic Korean Spanish Kazakh
الصفحة الرئيسية
تصنيف المنتجات
الماركات
استفسار
الأخبار .
عنا
معلومات عنا
اتصل بنا
اتصل بنا
الصفحة الرئيسية تصنيف المنتجات الماركات استفسار الأخبار . عنا اتصل بنا 中文 English Japanese Russian French Arabic Korean Spanish Kazakh
الصفحة الرئيسية المنتجات NovuSem
صور
معلومات
وصف
التسعير ( USD )
رقم الدفعة
استفسار
NC1M120C75GTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
FETs الفردية، MOSFETs
$ 16.27
أسرع 4H مخزون4000
NC1M120C75RRNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tape & Reel (TR)
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
FETs الفردية، MOSFETs
$ 17.59
أسرع 4H مخزون1700
NC1D120C30KTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472L
الثنائيات المفردة
$ 9.22
أسرع 4H مخزون1900
NC1M120C40GTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3
FETs الفردية، MOSFETs
$ 27.76
أسرع 4H مخزون1700
NC1M120C40HTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
FETs الفردية، MOSFETs
$ 27.76
أسرع 4H مخزون1700
NC1M120C12HTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
FETs الفردية، MOSFETs
$ 109.87
أسرع 4H مخزون1700
NC1D120C10ATNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
الثنائيات المفردة
$ 2.52
أسرع 4H مخزون2100
NC1M120C75HTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
FETs الفردية، MOSFETs
$ 16.27
أسرع 4H مخزون1700
NC1D120C20KTNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tube
DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472L
الثنائيات المفردة
$ 5.66
أسرع 4H مخزون2100
NC1M120C12WCNG
نوع: NovuSem
التعبئة: Tray
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
FETs الفردية، MOSFETs
$ 40.36
أسرع 4H مخزون3780
NC1M120C12WDCU
نوع: NovuSem
التعبئة: Tray
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
FETs الفردية، MOSFETs
$ 45.35
أسرع 4H مخزون3780
الصفحة الرئيسية تصنيف المنتجات الماركات استفسار الأخبار . عنا اتصل بنا Sitemap
jinshiding شنتشن التكنولوجيا المحدودة
العنوان:Set price
Copyright@2025 All Rights Reserved 粤ICP备2023022125号 base.jqkj
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال