MIZ75N65AH2Y-BP

MIZ75N65AH2Y-BP
MIZ75N65AH2Y-BP
Référence :
MIZ75N65AH2Y-BP
Catégorie :
-
Description :
IGBT DISCRETE,TO-247-4
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1800
Qté
Prix
Total
1800+
$4.35
$7830.01
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
输入类型
Standard
Temps de récupération inverse (trr)
160 ns
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
85 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
300 A
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Charge de grille
170 nC
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
650 V
Boîtier
TO-247-4
Type d'IGBT
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Puissance - Max
428 W
Condition de test
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Énergie de Commutation
2.61mJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/142ns
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