コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 240A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 75mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
1144nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
26.4pF @ 800V