電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
100nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2086pF @ 800V
パッケージ / ケース
32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
ACEPACK DMT-32
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60.5mOhm @ 20A, 18V
コンフィギュレーション
6 N-Channel (Three Phase Inverter)