コンフィギュレーション
4 N-Channel (Full Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 19mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
270nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
6800pF @ 800V