テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
コンフィギュレーション
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.051kA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 800A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 255mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
2784nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
94900pF @ 800V