GE12047BCA3
部品番号：
GE12047BCA3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
封止：
パッケージ：
Box
数量：
1601
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$2359.5
$2359.5
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
AEC-Q101
パッケージ / ケース
Module
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual)
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
パワー - 最大
1250W
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
475A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1248nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
29300pF @ 600V
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