Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
57A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
156W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 3mA
Рабочая температура
175°C
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2288 pF @ 400 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
65 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 18V