Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
39A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 1.6mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1362 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
71mOhm @ 20A, 18V