Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
190A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.56mOhm @ 190A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.55V @ 60mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
420nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10100pF @ 850V
Boîtier
11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-MDIP-11-1