NXVF6532M3TG01
Référence :
NXVF6532M3TG01
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 7.5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1215pF @ 400V
Puissance - Max
65.2W (Tj)
Boîtier
13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Fournisseur Dispositif Emballage
APM16
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