Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4L
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
555W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
136A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
750 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 100mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
329 nC @ 15 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7252 pF @ 500 V