G120P06T
G120P06T
G120P06T
Номер детали:
G120P06T
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 60V -120A 277W TO-22
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
50
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$2.42
$2.42
10+
$1.55
$15.5
100+
$1.05
$105
500+
$0.84
$420
1000+
$0.77
$770
2000+
$0.71
$1420
5000+
$0.66
$3300
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
120A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
277W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
230 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
12674 pF @ 30 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-