Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
120A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
277W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
230 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
12674 pF @ 30 V