Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
88W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
24A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
65 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3300 pF @ 50 V