G1K1P10TE
G1K1P10TE
G1K1P10TE
Номер детали:
G1K1P10TE
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 100V 24A 88W TO-220
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1650
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.52
$1.52
10+
$0.96
$9.6
100+
$0.64
$64
500+
$0.5
$250
1000+
$0.45
$450
2000+
$0.41
$820
5000+
$0.37
$1850
10000+
$0.35
$3500
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
88W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
24A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
65 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3300 pF @ 50 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-