Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
900 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7A
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.1 nC @ 6 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.4A, 6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
60 pF @ 400 V