Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
220 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 50A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
380A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
13200 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
412W (Tc)