Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
50 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
96W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Корпус
8-PowerSMD, Flat Leads
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
195A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3850 pF @ 20 V