IRF60B217

IRF60B217
IRF60B217
Номер детали:
IRF60B217
Категория:
-
Производитель:
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
4766
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 324
Кол-во
Цена
Итого
324+
$1.02
$330.48
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-220-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
66 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO220-3-1
Рассеиваемая мощность (максимальная)
83W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2230 pF @ 25 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.7V @ 50µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9mOhm @ 36A, 10V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-