Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
66 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO220-3-1
Рассеиваемая мощность (максимальная)
83W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2230 pF @ 25 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.7V @ 50µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9mOhm @ 36A, 10V