IV1Q12030T4G
IV1Q12030T4G
IV1Q12030T4G
Номер детали:
IV1Q12030T4G
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC MOSFET, 1200V 30MOHM, TO247-
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 120
Кол-во
Цена
Итого
120+
$9.33
$1119.6
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
79A (Tc)
Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 9.4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
168 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3980 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
410W (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-