Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
79A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 9.4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
168 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3980 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
410W (Tc)