IV1Q12080T4
IV1Q12080T4
IV1Q12080T4
Номер детали:
IV1Q12080T4
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247-
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 120
Кол-во
Цена
Итого
120+
$4.73
$567.6
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
300W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
42A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1680 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 3.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
74 nC @ 20 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-