IV1Q12080T4Z
Номер детали:
IV1Q12080T4Z
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247-
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 120
Кол-во
Цена
Итого
120+
$4.9
$588
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
300W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
42A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1680 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 3.10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
74 nC @ 20 V
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код