Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.8A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15.8 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
260 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
78.4W (Tc)