IV2Q06025D7Z
Номер детали:
IV2Q06025D7Z
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 800
Кол-во
Цена
Итого
800+
$6.59
$5272.01
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Рассеиваемая мощность (максимальная)
600W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
111A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
125 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3090 pF @ 600 V
Корпус
TO-263-7
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код