Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Рассеиваемая мощность (максимальная)
417W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
65A (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2160 pF @ 800 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
110 nC @ 18 V