IV2Q12160T4Z
IV2Q12160T4Z
IV2Q12160T4Z
Номер детали:
IV2Q12160T4Z
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1660
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$8.11
$8.11
10+
$5.49
$54.9
100+
$4.01
$401
500+
$3.38
$1690
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
136W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
29 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
580 pF @ 800 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-