Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.3A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
73W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 380uA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16.5 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
285 pF @ 1000 V