Тип полевого транзистора
N-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
28A (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Поставщик Устройство Корпус
ISO247-3L
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 5.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
52 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1435 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
75.3W (Tc)