IXSJ43N120R1
IXSJ43N120R1
IXSJ43N120R1 IXSJ43N120R1
Номер детали:
IXSJ43N120R1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$19.98
$19.98
30+
$12.45
$373.5
120+
$10.99
$1318.8
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-247-3
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
142W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 11.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
79 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
47mOhm @ 1A, 18V
Vgs (макс.)
+12V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2453 pF @ 800 V
Поставщик Устройство Корпус
ISO247-3L
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-