Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
142W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 11.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
79 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
47mOhm @ 1A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2453 pF @ 800 V
Поставщик Устройство Корпус
ISO247-3L