IXSJ80N120R1
Номер детали:
IXSJ80N120R1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$32.25
$32.25
30+
$20.96
$628.8
120+
$20.19
$2422.8
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-247-3
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
85A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs (макс.)
+21V, -4V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 22.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
154 nC @ 18 V
Поставщик Устройство Корпус
ISO247-3L
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 40A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4522 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
266W
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код