MCB3D0N10Y-TP
MCB3D0N10Y-TP
MCB3D0N10Y-TP
Номер детали:
MCB3D0N10Y-TP
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 800
Кол-во
Цена
Итого
800+
$3.45
$2760
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
94 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
190A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
230W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7076 pF @ 50 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-