MDDG10R08D
MDDG10R08D
MDDG10R08D
Номер детали:
MDDG10R08D
Категория:
-
Производитель:
MDD
Описание:
MOSFET N 100V 70A TO252
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
4100
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 2500
Кол-во
Цена
Итого
2500+
$1.72
$4300
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
70A
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-