MSC280SMA120S
MSC280SMA120S
MSC280SMA120S MSC280SMA120S
Номер детали:
MSC280SMA120S
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SICFET N-CH 1.2KV D3PAK
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Vgs(th) (макс.) при Id
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
-
Корпус
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Vgs (макс.)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
-
Поставщик Устройство Корпус
D3PAK
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-