MXP120A045FE-T1GE3
Номер детали:
MXP120A045FE-T1GE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1600
Кол-во
Цена
Итого
1600+
$13.94
$22304
Статус детали
Active
Поставщик Устройство Корпус
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
-
Корпус
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
49A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
212W (Tc)
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.38V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
75.6 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1958 pF @ 800 V
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код