Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
86 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6100 pF @ 25 V
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Тип монтажа
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.9W (Ta), 166W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
46A (Ta), 300A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)