Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
110W
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
19A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
192mOhm @ 10A, 15V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 2.5mA (Typ)