Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
278 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 20A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
29000 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.4W (Ta), 417W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® 8 x 8 BWL