SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3 SIEH4800EW-T1-GE3
Номер детали:
SIEH4800EW-T1-GE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$6.8
$6.8
10+
$4.56
$45.6
100+
$3.67
$367
500+
$3.32
$1660
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
278 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 20A, 10V
Корпус
8-PowerDFN
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
29000 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.4W (Ta), 417W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® 8 x 8 BWL
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-