SIHG125N65E-GE3
Номер детали:
SIHG125N65E-GE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
2094
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$9.87
$9.87
10+
$6.75
$67.5
100+
$6
$600
500+
$5.17
$2585
1000+
$4.63
$4630.01
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247AC
Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
27A (Tc)
Vgs (макс.)
±30V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
57 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
208W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1938 pF @ 100 V
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код