SIJ5623DP-T1-GE3
Номер детали:
SIJ5623DP-T1-GE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
7600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$2.61
$2.61
10+
$1.68
$16.8
100+
$1.14
$114
500+
$0.92
$460
1000+
$0.9
$900
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1575 pF @ 30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.3A (Ta), 26.1A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
4.1W (Ta), 32.9W (Tc)
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код