Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
54 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® SO-8
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2733 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5.7W (Ta), 92.5W (Tc)