Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
76 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (максимальная)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4100 pF @ 40 V