SIR5810DP-T1-RE3
Номер детали:
SIR5810DP-T1-RE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
7570
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.64
$1.64
10+
$1.04
$10.4
100+
$0.69
$69
500+
$0.54
$270
1000+
$0.49
$490
2000+
$0.47
$940
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
18.5 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
900 pF @ 40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Ta), 56.8W (Tc)
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код